Novo laser semicondutor de III-V em silício (Si) integrado de maneira heterogênea
A fotônica de silício é um campo de intensa pesquisa devida, dentre outras demandas, à necessidade da indústria de hardware semicondutor em substituir elétrons em fios de cobre por fótons em guia de onda para interconexão de dados processados em diferentes dispositivos eletrônicos sem causar superaquecimento. A escolha pelo silício é por seu baixo custo de fabricação, alta reprodutibilidade e volume diminuto de dispositivos, além da alta demanda de volume de fabricação já apresentada pela indústria de microeletrônica. Como o silício apresenta bandgap indireto, a fotônica nesta plataforma carece de outros materiais que possibilitem emissão eficiente de fótons incoerentes ou coerentes. Neste sentido, integrar materiais III-V é uma opção natural para regiões ativas, apesar de apresentarem desafios tecnológicos como parâmetro de rede e expansão térmica bastante distintas do silício.
Desenvolvido por pesquisadores da Unicamp um novo laser semicondutor de III-V em silício (Si) integrado de maneira heterogênea empregando microanéis acoplados como espelhos ópticos sintonizáveis seletivos de comprimento de onda. Sua estrutura acoplada é composta por microanéis externos que dá origem a um espelho óptico reconfigurável, seletivo e dispersivo. A nova configuração tem aplicações potenciais, tanto a sintonização quanto o controle de largura de linha dos lasers III-V em Si.
PRINCIPAIS BENEFÍCIOS E CARACTERÍSTICAS DA INVENÇÃO:
Cavidades externas curtas
Melhor dinâmica ao ligar e desligar o laser através do espelho
Estrutura acoplada dá origem a um espelho óptico reconfigurável, seletivo e dispersivo
